CVD / CVI 氣相沉積爐

簡介

CVD 氣相沉積. CVI 氣相滲透. 氣相涂層系統(tǒng).

熱誘導化學氣相沉積（英語：chemical vapor deposition，CVD）是用于各種電介質(zhì)，半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式，無論是單晶，多晶，無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。

通過使用合成前體，涂層非常純凈并且滿足半導體工業(yè)的典型要求。根據(jù)工藝參數(shù)，可以有多種層厚度，從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護層或功能層，以及厚度達100微米的單片部件，甚至高達數(shù)毫米。

熱誘導的化學氣相滲透（英語：chemical vapor infiltration，CVI）是一個與CVD有關(guān)的技術(shù)，以在基體材料滲入多孔或纖維預成型件以制備由復合材料制成的部件具有改善的機械性能，耐腐蝕性，耐熱沖擊性和低殘余應力。

適用于結(jié)構(gòu)復雜的各種尺寸和形狀。通過多個氣體開口之間切換時，在實際沉積作用前， 多孔的或纖維預成型件可以涂覆有多層涂層。

CVD 氣相沉積方式：

氣相沉積SiC，Si3N4，BN和AlN

SiC:

CH₃SiCl₃ → SiC + 3HCl 

Si₃N₄:

3SiCl₄ + 4NH₃ → Si₃N₄ + 12HCl

BN:

BCl₃ + NH₃ → BN + 3HCl

AlN:

AlCl₃ + NH₃ → AlN + 3HCl

技術(shù)特點：

1. 采用立式、底/頂開門結(jié)構(gòu)：裝、卸料精度高，操作方便；
2. 采用先進的控制技術(shù)，能精密控制MTS的流量和壓力，爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定，壓力波動范圍小；
3. 溫度均勻性好：平均溫度均勻性為±5℃；
4. 采用多通道沉積氣路，流場均勻，無沉積死角，沉積效果好；
5. 全封閉沉積室，密封效果好，抗污染能力強；
6. 安全性能好：采用HMI+PLC+PID程序控溫制，安全可靠；
7. 對沉積產(chǎn)生的高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產(chǎn)物能進行有效處理；
8. 多級高效尾氣處理系統(tǒng)，環(huán)境友好，能高效收集焦油及副產(chǎn)物，易清理；
9. 采用設計防腐蝕真空機組，持續(xù)工作時間長，維修率極低。

化學氣相沉積爐（碳化硅）可用于以硅烷為氣源的材料表面抗氧化涂層、基體改性等。立式化學氣相沉積爐（沉積炭）可用于以碳氫氣體（如C3H8、CH4等）為碳源的材料表面或基體等溫CVD/CVI處理。

臥式化學氣相沉積爐（SiC、BN）可用于材料的表面涂層、基體改性、復合材料制備等外延片基座、晶體爐高溫耐材、熱彎模具、半導體坩堝、陶瓷基復合材料等。